T. Conard

• Artículos de revistas (2)

• Artículos de revistas

  • Mechanism of O2-anneal induced Vfb shifts of Ru gated stacks.

    Z. Li, T. Schram, L. Pantisano, A. Stesmans, T. Conard, S. Shamuilia, V.V. Afanasiev, A. Akheyar, S. Van Elshocht, D.P. Brunco, W. Deweerd, Y. Naoki, P. Lehnen, S. De Gendt, K. De Meyer

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 518-520

    

  • Optimization of HfSiON using a design of experiment (DOE) approach on 0.45 V Vt Ni-FUSI CMOS transistors.

    A. Rothschild, R. Mitsuhashi, C. Kerner, X. Shi, J.L. Everaert, L. Date, T. Conard, O. Richard, C. Vrancken, R. Verbeeck, A. Veloso, A. Lauwers, M. De Potter, I. Debusschere, M. Jurczak, M. Niwa, P. Absil, S. Biesemans

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 521-524

    

Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.