Periodo de publicación recogido
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Reliability screening of high-k dielectrics based on voltage ramp stress.
A. Kerber, L. Pantisano, A. Veloso, G. Groeseneken, M. Kerber
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 513-517
Mechanism of O2-anneal induced Vfb shifts of Ru gated stacks.
Z. Li, T. Schram, L. Pantisano, A. Stesmans, T. Conard, S. Shamuilia, V.V. Afanasiev, A. Akheyar, S. Van Elshocht, D.P. Brunco, W. Deweerd, Y. Naoki, P. Lehnen, S. De Gendt, K. De Meyer
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 518-520
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