Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-? dielectrics.

• Autores: S. Abermann, J. Efavi, G. Sjöblom, M. Lemme, J. Olsson, E. Bertagnolli
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 536-539
• Idioma: inglés
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