M. Lemme

• Artículos de revistas (2)

• Artículos de revistas

  • Impact of Al-, Ni-, TiN-, and Mo-metal gates on MOCVD-grown HfO2 and ZrO2 high-? dielectrics.

    S. Abermann, J. Efavi, G. Sjöblom, M. Lemme, J. Olsson, E. Bertagnolli

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 536-539

    

  • Extracting the relative dielectric constant for ¿high-? layers¿ from CV measurements ¿ Errors and error propagation.

    O. Buiu, S. Hall, O. Engstrom, B. Raeissi, M. Lemme, P.K. Hurley, K. Cherkaoui

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 678-681

    

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