S. Hall

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• Artículos de revistas

  • Electrical and structural properties of hafnium silicate thin films.

    I.Z. Mitrovic, O. Buiu, S. Hall, C. Bungey, T. Wagner, W. Davey, Y. Lu

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 645-648

    

  • Extracting the relative dielectric constant for ¿high-? layers¿ from CV measurements ¿ Errors and error propagation.

    O. Buiu, S. Hall, O. Engstrom, B. Raeissi, M. Lemme, P.K. Hurley, K. Cherkaoui

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 678-681

    

  • Charge trapping and interface states in hydrogen annealed HfO2¿Si structures.

    Y.V. Gomeniuk, A.N. Nazarov, Ya.N. Vovk, V.S. Lysenko, Y. Lu, O. Buiu, S. Hall, R.J. Potter, P. Chalker

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 714-717

    

  • Tuneable electrical properties of hafnium aluminate gate dielectrics deposited by metal organic chemical vapour deposition.

    Y. Lu, O. Buiu, S. Hall, I.Z. Mitrovic, W. Davey, R.J. Potter, P.R. Chalker

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 722-725

    

  • Charge trapping characterization of MOCVD HfO2/p-Si interfaces at cryogenic temperatures.

    I.P. Tyagulskyy, I.N. Osiyuk, V.S. Lysenko, A.N. Nazarov, S. Hall, O. Buiu, Y. Lu, R. Potter, P.R. Chalker

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 726-728

    

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