K. Cherkaoui

• Artículos de revistas (4)

• Artículos de revistas

  • Effects of the electrical stress on the conduction characteristics of metal gate/MgO/InP stacks.

    Enrique Alberto Miranda, J. Martin-Martinez, E. O'Connor, G. Hughes, P. Casey, K. Cherkaoui, S. Monaghan, R. Long, D. O'Oconnell, P.K. Hurley

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1052-1055

    

  • Characterisation and passivation of interface defects in (1 0 0)-Si/SiO2/HfO2/TiN gate stacks.

    P.K. Hurley, K. Cherkaoui, S. McDonell, G. Hughes, A.W. Groenland

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 8, 2007, págs. 1195-1201

    

  • Extracting the relative dielectric constant for ¿high-? layers¿ from CV measurements ¿ Errors and error propagation.

    O. Buiu, S. Hall, O. Engstrom, B. Raeissi, M. Lemme, P.K. Hurley, K. Cherkaoui

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 678-681

    

  • Physical and electrical properties of low dielectric constant self-assembled mesoporous silica thin films.

    R.A. Farrell, K. Cherkaoui, N. Petkov, H. Amenitsch, J.D. Holmes, P.K. Hurley, Michael A. Morris

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 759-763

    

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