Influence of the SiO2 layer thickness on the degradation of HfO2/SiO2 stacks subjected to static and dynamic stress conditions.

• Autores: E. Amat, Rosana Rodríguez Martínez, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, J.H. Stathis
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 544-547
• Idioma: inglés
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