Reliability of HTO based high-voltage gate stacks for flash memories.

• Autores: Y. Raskin, A. Salameh, D. Betel, Y. Roizin
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 615-618
• Idioma: inglés
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