Periodo de publicación recogido
|
|
|
Peculiarities of hole trapping in Al2O3-SiO2 gate dielectric stack
M. Lisiansky, Y. Raskin, Y. Roizin, Bori Meyler, S. Yofis, Y. Shneider
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 79, 2017, págs. 265-269
Reliability of HTO based high-voltage gate stacks for flash memories.
Y. Raskin, A. Salameh, D. Betel, Y. Roizin
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 615-618
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2025 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados