Optimization and performance of Al2O3/GaN metal¿oxide¿semiconductor structures.

• Autores: K. Cico, J. Kuzmik, D. Gregusová, R Stoklas, T. Lalinský, A. Georgakilas, D. Pogany, K. Fröhlich
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 790-793
• Idioma: inglés
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