J. Kuzmik

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• Artículos de revistas

  • High resolution physical analysis of ohmic contact formation at GaN-HEMT devices

    A. Graff, M. Simon-Najasek, F. Altmann, J. Kuzmik, D. Gregusová, Š. Haščík, H. Jung, T. Baur, J. Grünenpütt, H. Blanck

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 338-343

    • Resumen
    

  • Optimization and performance of Al2O3/GaN metal¿oxide¿semiconductor structures.

    K. Cico, J. Kuzmik, D. Gregusová, R Stoklas, T. Lalinský, A. Georgakilas, D. Pogany, K. Fröhlich

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 790-793

    

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