Lifetime modeling of intrinsic gate oxide breakdown at high temperature.

• Autores: R. Moonen, P. Vanmeerbeek, G. Lekens, W. De Ceuninck, P. Moens, J. Boutsen
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1389-1393
• Idioma: inglés
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