P. Moens

• Artículos de revistas (5)
• Tesis dirigidas (1)

• Artículos de revistas

  • Reliability assessment of integrated power transistors: Lateral DMOS versus vertical DMOS.

    P. Moens, G. Van den Bosch

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1300-1305

    

  • Thermal resistance assessment in multi-trenched power devices.

    J. Roig, B. Desoete, F. Bauwens, F. Lovadina, P. Moens

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1479-1484

    

  • Lifetime modeling of intrinsic gate oxide breakdown at high temperature.

    R. Moonen, P. Vanmeerbeek, G. Lekens, W. De Ceuninck, P. Moens, J. Boutsen

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1389-1393

    

  • TLP Characterization of large gate width devices.

    P. Coppens, G. Jenicot, H. Casier, F. De Pestel, F. Depuydt, N. Martens, P. Moens

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1462-1467

    

  • Integration of an SCR in an active clamp.

    K. Reynders, P. Moens

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1054-1059

    

• Tesis dirigidas

  • Avalanche Ruggedness of Local Charge Balance Power Super Junction Transistors

    Ana Villamor

    Tesis doctoral dirigida por David Flores (dir. tes.), P. Moens (dir. tes.), Jaume Roig Guitart (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2013).

    • Resumen
    • Tesis en acceso abierto en: DDD
    

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