Reliability assessment of integrated power transistors: Lateral DMOS versus vertical DMOS.

• Autores: P. Moens, G. Van den Bosch
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1300-1305
• Idioma: inglés
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