Degradation behavior of 600 V¿200 A IGBT modules under power cycling and high temperature environment conditions.

• Autores: M. Bouarroudj, Z. Khatir, J.P. Ousten, F. Badel, L. Dupont, S. Lefebvre
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1719-1724
• Idioma: inglés
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