Periodo de publicación recogido
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F. Boige, F. Richardeau, D. Trémouilles, S. Lefebvre, G. Guibaud
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 500-506
Mechanisms of power module source metal degradation during electro-thermal aging
R. Ruffilli, M. Berkani, P. Dupuy, S. Lefebvre, Y. Weber, M. Legros
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 507-511
Characterisation of power modules ceramic substrates for reliability aspects.
S. Pietranico, S. Pommier, S. Lefebvre, Z. Khatir, S. Bontemps
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1260-1266
Estimation of SiC JFET temperature during short-circuit operations
M. Berkani, S. Lefebvre, N. Boughrara, Z. Khatir, J.-C. Faugières, P. Friedrichs, A. Haddouche
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1358-1362
M. Bouarroudj, Z. Khatir, J.P. Ousten, F. Badel, L. Dupont, S. Lefebvre
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1719-1724
Failure modes on low voltage power MOSFETs under high temperature application.
L. Dupont, S. Lefebvre, M. Bouaroudj, Z. Khatir, J.C. Faugières
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1767-1772
Z. Khatir, S. Lefebvre, F. Saint-Eve
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 422-428
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