Metal gates and gate-deposition-induced defects in Ta2O5 stack capacitors.

• Autores: E. Atanassova, D. Spassov, A. Paskaleva
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 12, 2007, págs. 2088-2093
• Idioma: inglés
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