An explanation of the dependence of the effective saturation velocity on gate voltage in sub-0.1 µm metal�oxide�semiconductor transistors by quasi-ballistic transport theory.

• Autores: W.S. Lau, P. Yang, V. Ho, L.F. Toh, Y. Liu, S.Y. Siah, L. Chan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1641-1648
• Idioma: inglés
• Texto completo no disponible (Saber más ...)