Effect of crystallographic defects on the reverse performance of 4H�SiC JBS diodes.

• Autores: A. Grekov, Q. Zhang, H. Fatima, A. Agarwal, T. Sudarshan
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1664-1668
• Idioma: inglés
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