Periodo de publicación recogido
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Physical phenomena affecting performance and reliability of 4H�SiC bipolar junction transistors.
P.G. Muzykov, R.M. Kennedy, Q. (Jon) Zhang, C. Capell, A. Burk, A. Agarwal, T.S. Sudarshan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 1, 2009, págs. 32-37
Microstructure and hardness of Al-Mg-Si weldments produced by pulse GTA welding.
R. Manti, D.K. Dwivedi, A. Agarwal
International journal of advanced manufacturing technology, ISSN 0268-3768, Vol. 36, Nº. 3-4, 2008, págs. 263-269
Effect of crystallographic defects on the reverse performance of 4H�SiC JBS diodes.
A. Grekov, Q. Zhang, H. Fatima, A. Agarwal, T. Sudarshan
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1664-1668
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