Subthreshold parameters of radio-frequency multi-finger nanometer MOS transistors.

• Autores: S.-L. Siu, H. Wong, W.-S. Tam, K. Kakusima, H. Iwai
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 387-391
• Idioma: inglés
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