Periodo de publicación recogido
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Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 226-229
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 248-252
Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current
J. Chen, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 52-55
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT
J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 60, 2016, págs. 16-19
Subthreshold parameters of radio-frequency multi-finger nanometer MOS transistors.
S.-L. Siu, H. Wong, W.-S. Tam, K. Kakusima, H. Iwai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 4, 2009, págs. 387-391
Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack.
P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1769-1771
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