Periodo de publicación recogido
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Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 226-229
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 248-252
M.S. Hadi, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 42-45
Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current
J. Chen, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 52-55
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT
J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 60, 2016, págs. 16-19
Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack.
P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1769-1771
Modeling of the post-breakdown IG-VG-VD characteristics of La2O3-based MOS transistors
E. Miranda, J. Suñé, T. Kawanago, K. Kakushima, H. Iwai
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
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