J. Suñé

• Artículos de revistas (2)
• Colaboraciones en obras colectivas (1)

• Artículos de revistas

  • A new method for estimating the conductive filament temperature in OxRAM devices based on escape rate theory

    A. Rodríguez Fernández, J. Muñoz-Gorriz, J. Suñé, E. Miranda

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 142-146

    • Resumen
    

  • Identification of the generation/rupture mechanism of filamentary conductive paths in ReRAM devices using oxide failure analysis

    Ángel Rodríguez Fernández, C. Cagli, Luca Perniola, J. Suñé, E. Miranda

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 178-183

    • Resumen
    

• Colaboraciones en obras colectivas

  • Modeling of the post-breakdown IG-VG-VD characteristics of La2O3-based MOS transistors

    E. Miranda, J. Suñé, T. Kawanago, K. Kakushima, H. Iwai

    Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665

    • Resumen
    

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