Periodo de publicación recogido
|
|
|
Improvement of SiO2/4H-SiC Interface properties by post-metallization annealing
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, H. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 226-229
Y.M. Lei, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, M. Furuhashi, S. Tomohisa, Soji Yamakawa, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 84, 2018, págs. 248-252
M.S. Hadi, N. Sugii, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 42-45
Poly-Si gate electrodes for AlGaN/GaN HEMT with high reliability and low gate leakage current
J. Chen, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 52-55
La2O3 gate dielectrics for AlGaN/GaN HEMT
J. Chen, T. Kawanago, H. Wakabayashi, K. Tsutsui, H. Iwai, D. Nohata, H. Nohira, K. Kakushima
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 60, 2016, págs. 16-19
Characteristics of Arc-Reducing Effect by Capacitor in Commutation Circuit
S. Ueda, K. Kiyose, R. Honbo, Y. Murakami, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 89, Nº 8, 2006, pág. 1153
Computational Methods for Surface Relief Gratings Using Electric and Magnetic Flux Expansions
M. Komatsu, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 12, 2005, pág. 2192
Development of the Lead-Free Carbon Brush Material for Starters
H. Wakabayashi, N. Inayoshi, K. Inukai, T. Shimoyama, N. Morita, R. Honbo, K. Sawa, Y. Murakami
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 8, 2005, pág. 1675
Availability of Resistive Boundary Condition for Thin Metallic Gratings Placed in Conical Mounting
H. Wakabayashi, J. Yamakita, M. Asai
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 87, Nº 9, 2004, pág. 1560
H. Wakabayashi
Radio science, ISSN 0048-6604, Nº. 6, 2003, pág. 8
Uniform Raised-Salicide Technology for High-Performance CMOS Devices
H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 85, Nº 5, 2002, págs. 1104-1110
M. Ishii, K. Sakawa, H. Shimizu, T. Kobayashi, S. Kozono, H. Wakabayashi, J. Yan, H. Masui
IEICE transactions on communications, ISSN 0916-8516, Vol. 84, Nº 9, 2001, págs. 2550-2559
Does Hertzian Contact Area Act as an Effective Zone Generating the Friction Resistance ?
T. Sasada, H. Wakabayashi
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 81, Nº 3, 1998, pág. 326
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados