Periodo de publicación recogido
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Electrical characteristics of MOSFETs with La2O3/Y2O3 gate stack.
P. Ahmet, K. Nakagawa, K. Kakushima, H. Nohira, K. Tsutsui, N. Sugii, T. Hattori, H. Iwai
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1769-1771
Angle-resolved photoelectron spectroscopy on gate insulators.
T. Hattori, H. Nohira, S. Shinagawa, M. Hori, M. Kase, T. Maruizumi
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 1, 2007, págs. 20-26
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