Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems.

• Autores: M. Damman, W. Pletschen, P. Waltereit, W. Bronner, R. Quay, Stefan Müller, M. Mikulla, O. Ambacher, P.J. van der Wel, S. Murad, T. Rödle, R. Behtash, F. Bourgeois, K. Riepe, M. Fagerlind, E.Ö. Sveinbjörnsson
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 474-477
• Idioma: inglés
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