R. Quay

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• Artículos de revistas

  • Comparison of reliability of 100 nm AlGaN/GaN HEMTs with T-gate and SAG-gate technology

    M. Damman, M. Baeumler, P. Brückner, T. Kemmer, H. Konstanzer, A. Graff, M. Simon-Najasek, R. Quay

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 385-388

    • Resumen
    

  • Reliability of 100 nm AlGaN/GaN HEMTs for mm-wave applications

    M. Damman, M. Baeumler, V. Polyakov, P. Brückner, H. Konstanzer, R. Quay, M. Mikulla, A. Graff, M. Simon-Najasek

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 292-297

    • Resumen
    

  • Reliability and degradation mechanism of AlGaN/GaN HEMTs for next generation mobile communication systems.

    M. Damman, W. Pletschen, P. Waltereit, W. Bronner, R. Quay, Stefan Müller, M. Mikulla, O. Ambacher, P.J. van der Wel, S. Murad, T. Rödle, R. Behtash, F. Bourgeois, K. Riepe, M. Fagerlind, E.Ö. Sveinbjörnsson

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 5, 2009, págs. 474-477

    

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