Breakdown characterization of gate oxides in 35 and 70 Å BCD8 smart power technology.

• Autores: A. Tazzoli, L. Cerati, A. Andreini, G. Meneghesso
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1111-1115
• Idioma: inglés
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