Periodo de publicación recogido
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Breakdown characterization of gate oxides in 35 and 70 Å BCD8 smart power technology.
A. Tazzoli, L. Cerati, A. Andreini, G. Meneghesso
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1111-1115
Reliability analysis of AlGaN/GaN HEMT on SopSiC composite substrate under long-term DC-life test.
N. Ronchi, F. Zanon, A. Stocco, A. Tazzoli, E. Zanoni, G. Meneghesso
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1207-1210
Thermal storage effects on AlGaN/GaN HEMT.
F. Danesin, A. Tazzoli, F. Zanon, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Cetronio, C. Lanzieri, S. Lavanga, M. Peroni, P. Romanini
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1361-1365
A. Tazzoli, G. Meneghesso, F. Zanon, F. Danesin, E. Zanoni, P. Bove, R. Langer, J. Thorpe
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1370-1374
Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology.
A. Tazzoli, F.A. Marino, M. Cordoni, A. Benvenuti, P. Colombo, E. Zanoni, G. Meneghesso
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1444-1449
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