E. Zanoni

• Artículos de revistas (14)

• Artículos de revistas

  • On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs

    M. Rzin, A. Chini, C. De Santi, M. Meneghini, A. Hugger, M. Hollmer, H. Stieglauer, M. Madel, J. Splettstößer, D. Sommer, J. Grünenpütt, K. Beilenhoff, H. Blanck, J.-T. Chen, O. Kordina, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 397-401

    • Resumen
    

  • Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors

    G. Meneghesso, M. Meneghini, C. De Santi, M. Ruzzarin, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 257-265

    • Resumen
    

  • Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level

    I. Rossetto, M. Meneghini, E. Canato, M. Barbato, Steve Stoffels, N. Posthuma, S. Decoutere, A.N. Tallarico, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 298-303

    • Resumen
    

  • Understanding the degradation processes of GaN based LEDs submitted to extremely high current density

    N. Renso, M. Meneghini, M. Buffolo, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 556-560

    • Resumen
    

  • Degradation of InGaN-based MQW solar cells under 405 nm laser excitation

    C. De Santi, M. Meneghini, A. Caria, E. Dogmus, M. Zegaoui, F. Medjdoub, E. Zanoni, G. Meneghesso

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 575-578

    • Resumen
    

  • Long-term degradation of InGaN-based laser diodes: Role of defects

    D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Bojarska, P. Perlin

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 584-587

    • Resumen
    

  • Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure

    M. Meneghini, O. Hilt, C. Fleury, R. Silvestri, M. Capriotti, G. Strasser, D. Pogany, E. Bahat-Treidel, F. Brunner, A. Knauer, J. Würfl, I. Rossetto, E. Zanoni, G. Meneghesso, S. Dalcanale

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 58, 2016, págs. 177-184

    • Resumen
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  • Reliability analysis of AlGaN/GaN HEMT on SopSiC composite substrate under long-term DC-life test.

    N. Ronchi, F. Zanon, A. Stocco, A. Tazzoli, E. Zanoni, G. Meneghesso

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1207-1210

    

  • Reliability analysis of InGaN Blu-Ray laser diode.

    N. Trivellin, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1236-1239

    

  • Thermal storage effects on AlGaN/GaN HEMT.

    F. Danesin, A. Tazzoli, F. Zanon, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Cetronio, C. Lanzieri, S. Lavanga, M. Peroni, P. Romanini

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1361-1365

    

  • Electrical characterization and reliability study of HEMTs on composite substrates under high electric fields.

    A. Tazzoli, G. Meneghesso, F. Zanon, F. Danesin, E. Zanoni, P. Bove, R. Langer, J. Thorpe

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1370-1374

    

  • Holding voltage investigation of advanced SCR-based protection structures for CMOS technology.

    A. Tazzoli, F.A. Marino, M. Cordoni, A. Benvenuti, P. Colombo, E. Zanoni, G. Meneghesso

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1444-1449

    

  • High temperature electro-optical degradation of InGaN/GaN HBLEDs.

    M. Meneghini, L. Trevisanello, C. Sanna, G. Mura, M. Vanzi, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1625-1629

    

  • Characterization and analysis of trap-related effects in AlGaN¿GaN HEMTs.

    M. Faqir, G. Verzellesi, F. Fantini, F. Danesin, F. Rampazzo, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Cavallini, A. Castaldini, N. Labat, A. Touboul, C. Dua

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1639-1642

    

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