M. Meneghini

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  • On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs

    M. Rzin, A. Chini, C. De Santi, M. Meneghini, A. Hugger, M. Hollmer, H. Stieglauer, M. Madel, J. Splettstößer, D. Sommer, J. Grünenpütt, K. Beilenhoff, H. Blanck, J.-T. Chen, O. Kordina, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 397-401

    • Resumen
    

  • Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors

    G. Meneghesso, M. Meneghini, C. De Santi, M. Ruzzarin, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 257-265

    • Resumen
    

  • Field- and current-driven degradation of GaN-based power HEMTs with p-GaN gate: Dependence on Mg-doping level

    I. Rossetto, M. Meneghini, E. Canato, M. Barbato, Steve Stoffels, N. Posthuma, S. Decoutere, A.N. Tallarico, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 298-303

    • Resumen
    

  • Understanding the degradation processes of GaN based LEDs submitted to extremely high current density

    N. Renso, M. Meneghini, M. Buffolo, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 556-560

    • Resumen
    

  • Degradation of InGaN-based MQW solar cells under 405 nm laser excitation

    C. De Santi, M. Meneghini, A. Caria, E. Dogmus, M. Zegaoui, F. Medjdoub, E. Zanoni, G. Meneghesso

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 575-578

    • Resumen
    

  • Long-term degradation of InGaN-based laser diodes: Role of defects

    D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Bojarska, P. Perlin

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 584-587

    • Resumen
    

  • Normally-off GaN-HEMTs with p-type gate: Off-state degradation, forward gate stress and ESD failure

    M. Meneghini, O. Hilt, C. Fleury, R. Silvestri, M. Capriotti, G. Strasser, D. Pogany, E. Bahat-Treidel, F. Brunner, A. Knauer, J. Würfl, I. Rossetto, E. Zanoni, G. Meneghesso, S. Dalcanale

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 58, 2016, págs. 177-184

    • Resumen
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  • Reliability analysis of InGaN Blu-Ray laser diode.

    N. Trivellin, M. Meneghini, G. Meneghesso, E. Zanoni, K. Orita, M. Yuri, T. Tanaka, D. Ueda

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1236-1239

    

  • Recupero delle collezioni storiche di molluschi appartenenti al Museo di Zoologia dell'Università di Padova.

    P. Nicolosi, M. Meneghini, C. Betto, Margherita Turchetto, S. Casellato

    Bollettino Malacologico, ISSN 0394-7149, Nº. 43, 1, 2007, págs. 111-118

    • Resumen
    

  • High temperature electro-optical degradation of InGaN/GaN HBLEDs.

    M. Meneghini, L. Trevisanello, C. Sanna, G. Mura, M. Vanzi, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1625-1629

    

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