C. De Santi

• Artículos de revistas (5)

• Artículos de revistas

  • On-wafer RF stress and trapping kinetics of Fe-doped AlGaN/GaN HEMTs

    M. Rzin, A. Chini, C. De Santi, M. Meneghini, A. Hugger, M. Hollmer, H. Stieglauer, M. Madel, J. Splettstößer, D. Sommer, J. Grünenpütt, K. Beilenhoff, H. Blanck, J.-T. Chen, O. Kordina, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 88-90, 2018, págs. 397-401

    • Resumen
    

  • Positive and negative threshold voltage instabilities in GaN-based transistors

    G. Meneghesso, M. Meneghini, C. De Santi, M. Ruzzarin, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 257-265

    • Resumen
    

  • Understanding the degradation processes of GaN based LEDs submitted to extremely high current density

    N. Renso, M. Meneghini, M. Buffolo, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 556-560

    • Resumen
    

  • Degradation of InGaN-based MQW solar cells under 405 nm laser excitation

    C. De Santi, M. Meneghini, A. Caria, E. Dogmus, M. Zegaoui, F. Medjdoub, E. Zanoni, G. Meneghesso

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 575-578

    • Resumen
    

  • Long-term degradation of InGaN-based laser diodes: Role of defects

    D. Monti, M. Meneghini, C. De Santi, G. Meneghesso, E. Zanoni, A. Bojarska, P. Perlin

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 584-587

    • Resumen
    

Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.