Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs.

• Autores: N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J.-C. De Jaeguer, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J.-M. Bluet, W. Chikhaoui
• Localización: Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1216-1221
• Idioma: inglés
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