N. Malbert

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  • TCAD simulation capabilities towards gate leakage current analysis of advanced AlGaN/GaN HEMT devices

    K. Mukherjee, F. Darracq, A. Curutchet, N. Malbert, N. Labat

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 350-356

    • Resumen
    

  • Characterisation and modelling of parasitic effects and failure mechanisms in AlGaN/GaN HEMTs.

    N. Malbert, N. Labat, A. Curutchet, C. Sury, V. Hoel, J.-C. De Jaeguer, N. Defrance, Y. Douvry, C. Dua, M. Oualli, C. Bru-Chevallier, J.-M. Bluet, W. Chikhaoui

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1216-1221

    

  • Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques.

    M. Bouya, N. Malbert, N. Labat, D. Carisetti, P. Perdu, J.C. Clément, B. Lambert, M. Bonnet

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1366-1370

    

  • Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTS on SiC.

    M. Bouya, D. Carisetti, N. Malbert, N. Labat, P. Perdu, J.C. Clément, M. Bonnet, G. Pataut

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1630-1633

    

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