P. Perdu

• Artículos de revistas (13)

• Artículos de revistas

  • Simulation of the thermal stress induced by CW 1340 nm laser on 28 nm advanced technologies

    M. Penzes, S. Dudit, F Monsieur, L. Silvestri, F. Nallet, D. Lewis, P. Perdu

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 227-232

    • Resumen
    

  • Pattern image enhancement by automatic focus correction

    Alessandro Boscaro, S. Jacquir, K. Sanchez, P. Perdu, S. Binczak

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 249-254

    • Resumen
    

  • Magnetic microscopy for 3D devices: Defect localization with high resolution and long working distance on complex system in package.

    F. Infante, P. Perdu, D. Lewis

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1169-1174

    

  • Analysis of deep submicron VLSI technological risks: A new qualification process for professional electronics.

    F. Molière, B. Foucher, P. Perdu, A. Bravaix

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1381-1385

    

  • Dynamic study of the thermal laser stimulation response on advanced technology structures.

    A. Reverdy, M. De la Bardonnie, P. Poirier, H. Murray, P. Perdu, A. Boukkali

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 10, 2008, págs. 1689-1695

    

  • Fast and rigorous use of thermal time constant to characterize back end of the line test structure in advanced technology.

    A. Reversy, P. Perdu, H. Murray, M. De la Bardonnie, P. Poirier

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1279-1284

    

  • Effect of physical defect on shmoos in CMOS DSM technologies.

    A. Machouat, G. Haller, V. Gouber, D. Lewis, P. Perdu, V. Pouget, P. Fouillat, F. Essely

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1333-1338

    

  • Analysis of traps effect on AlGaN/GaN HEMT by luminescence techniques.

    M. Bouya, N. Malbert, N. Labat, D. Carisetti, P. Perdu, J.C. Clément, B. Lambert, M. Bonnet

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1366-1370

    

  • Failure Analysis enhancement by evaluating the Photoelectric Laser Stimulation impact on mixed-mode ICs.

    M. Sienkiewicz, P. Perdu, A. Firiti, K. Sanchez, O. Crepel, D. Lewis

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1529-1532

    

  • Generic simulator for faulty IC.

    J. Ferrigno, A. Machouat, P. Perdu, D. Lewis, G. Haller, V. Goubier

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1592-1597

    

  • Dynamic laser stimulation techniques for advanced failure analysis and design debug applications.

    F. Beaudoin, K. Sanchez, P. Perdu

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1517-1522

    

  • Long-term reliability of silicon bipolar transistors subjected to low constraints.

    A. Crosson, L. Escotte, Marise Bafleur, D. Talbourdet, L. Crétinon, P. Perdu, G. Perez

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1590-1594

    

  • Study of passivation defects by electroluminescence in AlGaN/GaN HEMTS on SiC.

    M. Bouya, D. Carisetti, N. Malbert, N. Labat, P. Perdu, J.C. Clément, M. Bonnet, G. Pataut

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1630-1633

    

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