F. Essely
Periodo de publicación recogido
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Artículos de revistas
Effect of physical defect on shmoos in CMOS DSM technologies.
A. Machouat, G. Haller, V. Gouber, D. Lewis, P. Perdu, V. Pouget, P. Fouillat, F. Essely
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1333-1338
Investigation of a new method for dopant characterization.
J. Adrian, N. Rodriguez, F. Essely, G. Haller, C. Grosjean, A. Portavoce, C. Girardeaux
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1599-1603
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