F Monsieur

• Artículos de revistas (3)

• Artículos de revistas

  • Simulation of the thermal stress induced by CW 1340 nm laser on 28 nm advanced technologies

    M. Penzes, S. Dudit, F Monsieur, L. Silvestri, F. Nallet, D. Lewis, P. Perdu

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 227-232

    • Resumen
    

  • Impact of inside spacer process on fully self-aligned 250 GHz SiGe:C HBTs reliability performances: a-Si vs. nitride.

    M. Diop, N. Revil, M. Marin, F Monsieur, Pascal Chevalier, G. Ghibaudo

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1198-1201

    

  • Degradation mechanism understanding of NLDEMOS SOI in RF applications.

    D. Lachenal, A. Bravaix, F Monsieur, Y. Rey-Tauriac

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1634-1638

    

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