Periodo de publicación recogido
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Enabling robust automotive electronic components in advanced CMOS nodes
V. Huard, S. Mhira, F. Cacho, A. Bravaix
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 13-24
Reliability aspects of gate oxide under ESD pulse stress.
A. Ille, W. Stadler, T. Pompl, H. Gossner, T. Brodbeck, K. Esmark, P. Riess, Daniel Álvarez González, K. Chatty, R. Gauthier, A. Bravaix
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1407-1416
F. Molière, B. Foucher, P. Perdu, A. Bravaix
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1381-1385
Degradation mechanism understanding of NLDEMOS SOI in RF applications.
D. Lachenal, A. Bravaix, F Monsieur, Y. Rey-Tauriac
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1634-1638
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