T. Brodbeck
Periodo de publicación recogido
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Artículos de revistas
Reliability aspects of gate oxide under ESD pulse stress.
A. Ille, W. Stadler, T. Pompl, H. Gossner, T. Brodbeck, K. Esmark, P. Riess, Daniel Álvarez González, K. Chatty, R. Gauthier, A. Bravaix
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1407-1416
CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts.
T. Brodbeck, K. Esmark, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1470-1475
Do ESD fails in systems correlate with IC ESD robustness?
W. Stadler, T. Brodbeck, R. Gärtner, H. Gossner
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1079-1085
Backside interferometric methods for localization of ESD-induced leakage current and metal shorts.
V. Dubec, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Gornik, T. Brodbeck, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1539-1544
Experience in HBM ESD testing of high pin count devices.
T. Brodbeck, R. Gaertner
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, págs. 1025-1029
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