S. Bychikhin

• Artículos de revistas (4)

• Artículos de revistas

  • Thermal imaging of smart power DMOS transistors in the thermally unstable regime using a compact transient interferometric mapping system.

    G. Haberfehlner, S. Bychikhin, V. Dubec, M. Heer, A. Podgaynaya, M. Pfost, M. Stecher, E. Gornik, D. Pogany

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1346-1351

    

  • Experimental and numerical analysis of current flow homogeneity in low voltage SOI multi-finger gg-NMOS and NPN ESD protection devices.

    M. Heer, S. Bychikhin, W. Mamanee, D. Pogany, A. Heid, P. Grombach, M. Klaussner, W. Soppa, B. Ramler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1450-1455

    

  • Backside interferometric methods for localization of ESD-induced leakage current and metal shorts.

    V. Dubec, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Gornik, T. Brodbeck, W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1539-1544

    

  • Thermal analysis of InGaN/GaN (GaN substrate) laser diodes using transient interferometric mapping.

    S. Bychikhin, T. Swietlik, T. Suski, S. Porowski, P. Perlin, D. Pogany

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1649-1652

    

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