W. Stadler

• Artículos de revistas (7)

• Artículos de revistas

  • Editorial ESD reliability special section.

    V. Vassilev, W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1405-1406

    

  • Reliability aspects of gate oxide under ESD pulse stress.

    A. Ille, W. Stadler, T. Pompl, H. Gossner, T. Brodbeck, K. Esmark, P. Riess, Daniel Álvarez González, K. Chatty, R. Gauthier, A. Bravaix

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1407-1416

    

  • Transient interferometric mapping of carrier plasma during external transient latch-up phenomena in latch-up test structures and I/O cells processed in CMOS technology.

    M. Heer, K. Domanski, K. Esmark, U. Glaser, D. Pogany, E. Gornik, W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1455-1464

    

  • CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts.

    T. Brodbeck, K. Esmark, W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1470-1475

    

  • Do ESD fails in systems correlate with IC ESD robustness?

    W. Stadler, T. Brodbeck, R. Gärtner, H. Gossner

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1079-1085

    

  • Backside interferometric methods for localization of ESD-induced leakage current and metal shorts.

    V. Dubec, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Gornik, T. Brodbeck, W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1539-1544

    

  • Guest editorial.

    W. Stadler

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, pág. 999

    

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