Periodo de publicación recogido
|
|
|
Editorial ESD reliability special section.
V. Vassilev, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1405-1406
Reliability aspects of gate oxide under ESD pulse stress.
A. Ille, W. Stadler, T. Pompl, H. Gossner, T. Brodbeck, K. Esmark, P. Riess, Daniel Álvarez González, K. Chatty, R. Gauthier, A. Bravaix
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1407-1416
M. Heer, K. Domanski, K. Esmark, U. Glaser, D. Pogany, E. Gornik, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1455-1464
CDM tests on interface test chips for the verification of ESD protection concepts.
T. Brodbeck, K. Esmark, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 12, 2009, págs. 1470-1475
Do ESD fails in systems correlate with IC ESD robustness?
W. Stadler, T. Brodbeck, R. Gärtner, H. Gossner
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1079-1085
Backside interferometric methods for localization of ESD-induced leakage current and metal shorts.
V. Dubec, S. Bychikhin, D. Pogany, E. Gornik, T. Brodbeck, W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1539-1544
W. Stadler
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 7, 2007, pág. 999
Esta página recoge referencias bibliográficas de materiales disponibles en los fondos de las Bibliotecas que participan en Dialnet. En ningún caso se trata de una página que recoja la producción bibliográfica de un autor de manera exhaustiva. Nos gustaría que los datos aparecieran de la manera más correcta posible, de manera que si detecta algún error en la información que facilitamos, puede hacernos llegar su Sugerencia / Errata.
© 2001-2024 Fundación Dialnet · Todos los derechos reservados