Periodo de publicación recogido
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New perspectives in defect centric model for NBTI reliability
D. Nouguier, G. Ghibaudo, X. Federspiel, M. Rafik, D. Roy
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 98, 2019, págs. 119-123
On the cumulative distribution function of the defect centric model for BTI reliability
D. Nouguier, G. Pananakakis, X. Federspiel, M. Rafik, D. Roy, G. Ghibaudo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 92, 2019, págs. 168-171
D. Nouguier, X. Federspiel, G. Ghibaudo, M. Rafik, D. Roy
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 106-112
Hot carrier degradation modeling of short-channel n-FinFETs suitable for circuit simulators
I. Messaris, T.A. Karatsori, N. Fasarakis, C.G. Theodorou, S. Nikolaidis, G. Ghibaudo, C.A. Dimitriadis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 56, 2016, págs. 10-16
M. Diop, N. Revil, M. Marin, F Monsieur, P. Chevalier, G. Ghibaudo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1198-1201
Impact of silicon nitride CESL on NLDEMOS transistor reliability.
G. Beylier, S. Bruyère, D. Benoit, G. Ghibaudo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 8-9, 2008, págs. 1539-1543
Initial and PBTI-induced traps and charges in Hf-based oxides/TiN stacks.
G. Reimbold, J. Mitard, X. Garros, C. Leroux, G. Ghibaudo, S. Kudelka
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 489-496
Accurate determination of flat band voltage in advanced MOS structure.
C. Leroux, G. Ghibaudo, G. Reimbold
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 660-664
G. Beylier, S. Bruyère, D. Benoit, G. Ghibaudo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 743-747
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