X. Federspiel

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• Artículos de revistas

  • New perspectives in defect centric model for NBTI reliability

    D. Nouguier, G. Ghibaudo, X. Federspiel, M. Rafik, D. Roy

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 98, 2019, págs. 119-123

    • Resumen
    

  • On the cumulative distribution function of the defect centric model for BTI reliability

    D. Nouguier, G. Pananakakis, X. Federspiel, M. Rafik, D. Roy, G. Ghibaudo

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 92, 2019, págs. 168-171

    • Resumen
    

  • New NBTI models for degradation and relaxation kinetics valid over extended temperature and stress/recovery ranges

    D. Nouguier, X. Federspiel, G. Ghibaudo, M. Rafik, D. Roy

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 87, 2018, págs. 106-112

    • Resumen
    

  • Characterization and modeling of dynamic variability induced by BTI in nano-scaled transistors

    Xavier Garros, Antoine Laurent, Alexandre Subirats i Armengol, X. Federspiel, E. Vincent, Gilles Reimbold

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 80, 2018, págs. 100-108

    • Resumen
    

  • Characterization of Low Drop-Out during ageing and design for yield

    R. Lajmi, F. Cacho, Eric Lauga, S. Bourdel, P. Benech, V. Huard, X. Federspiel

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 92-96

    • Resumen
    

  • FEM-based method to determine mechanical stress evolution during process flow in microelectronics, application to stress¿voiding.

    S. Orain, J.-C. Barbé, X. Federspiel, P. Legallo, H. Jaouen

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 2-3, 2007, págs. 295-301

    

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