Periodo de publicación recogido
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Harmonic distortion analysis of triple gate SOI nanowire MOSFETS down to 100 K
B.C. Paz, R.T. Doria, M. Casse, Sylvie Barraud, G. Reimbold, M. Vinet, O. Faynot, M. Pavanello
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 79, 2017, págs. 111-118
Drain current model for short-channel triple gate junctionless nanowire transistors
B.C. Paz, M. Casse, Sylvie Barraud, G. Reimbold, O. Faynot, F. Avila-Herrera, A. Cerdeira, M. Pavanello
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 63, 2016, págs. 1-10
Process dependence of BTI reliability in advanced HK MG stacks.
X. Garros, M. Casse, M. Rafik, C. Fenouillet-Béranger, G. Reimbold, Fernando Martín Rubio, C. Wiemer, F. Boulanger
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 982-988
Initial and PBTI-induced traps and charges in Hf-based oxides/TiN stacks.
G. Reimbold, J. Mitard, X. Garros, C. Leroux, G. Ghibaudo, S. Kudelka
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 489-496
Accurate determination of flat band voltage in advanced MOS structure.
C. Leroux, G. Ghibaudo, G. Reimbold
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 660-664
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