Coupled electro-thermal simulation of a DC/DC converter.
M. Vellvehi, X. Jordà, Philippe Godignon, Clemente Ferrer Roselló, J. Millán
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 12, 2007, págs. 2114-2121
Estudio de puertas catalíticas en sensores de gas en tecnología de SiC
A. Pérez, Josep Montserrat, A. Romano, C. Serre, Joan Ramon Morante i Lleonart, Philippe Godignon, O. Casals, J. Millán, B. Barcones, M Haffar
Boletín de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, ISSN 0366-3175, Vol. 43, Nº. 2, 2004 (Ejemplar dedicado a: VII Reunión Nacional de Materiales), págs. 383-385
Wide Band Gap power semiconductor devices
José Millán Gómez, Philippe Godignon
Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665
IGBT gate drive circuit optimised for electric vehicle traction
X. Jordà, Philippe Godignon, M. Vellvehi, A. Pérez, N. Schofield, B. Taylor
SAAEI'02: IX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad de Alcalá, Alcalá de Henares, 18, 19 y 20 de septiembre de 2002 / coord. por Manuel Ramón Mazo Quintas, Vol. 2, 2002, ISBN 9788481385144, págs. 71-74
Sistema de extracción de conductividad térmica para simulación de módulos de potencia
F. Madrid, X. Jordà, Philippe Godignon, M. Vellvehi, J. Rebollo
SAAEI'02: IX Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad de Alcalá, Alcalá de Henares, 18, 19 y 20 de septiembre de 2002 / coord. por Manuel Ramón Mazo Quintas, Vol. 1, 2002, ISBN 9788481385137, págs. 307-310
Comportamiento dinámico de estructuras IGBT laterales
M. Vellvehí, X. Jordà, Philippe Godignon, Salvador Hidalgo Villena, J. Fernández, J. Rebollo
SAAEI '98: V Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad Pública de Navarra, Pamplona, 15-18 de septiembre de 1998, 1998, ISBN 84-89654-11-5, págs. 269-272
Modelo electrotérmico del transistor VDMOS de potencia para su simulación con SPICE
X. Jordà, D. Flores, Philippe Godignon, M. Vellvehí, J. Rebollo, J. Millán
SAAEI '98: V Seminario Anual de Automática, Electrónica Industrial e Instrumentación, Universidad Pública de Navarra, Pamplona, 15-18 de septiembre de 1998, 1998, ISBN 84-89654-11-5, págs. 563-566
Mos interface improvement based on boron treatments for high channel mobility sic mosfets
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Josep Montserrat i Martí (codir. tes.). Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) (2019).
Design and process developments towards an optimal 6.5 kv sic power mosfet
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Jose Andres Rebollo Palacios (codir. tes.). Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) (2019).
Irradiation impact on optimized 4H-SiC MOSFETs
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Francesc Guinjoan (tut. tes.). Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) (2016).
4H-SiC Integrated circuits for high temperature and harsh environment applications
Mihaela Alexandru
Tesis doctoral dirigida por Francesc Guinjoan (dir. tes.), Philippe Godignon (dir. tes.). Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) (2013).
SiC oxidation processing technology for mosfet devices fabrication
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Francesc Guinjoan (tut. tes.). Universitat Politècnica de Catalunya (UPC) (2011).
Wide Bandgap Semiconductors for MEMS and Related Process Technologies
Marcel Placidi
Tesis doctoral dirigida por David Flores (dir. tes.), Philippe Godignon (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2010).
RTCVD synthesis of carbon nanotubes and their wafer scale integration into FET and sensor processes
Iñigo Martin Fernández
Tesis doctoral dirigida por David Jimenez Jimenez (dir. tes.), Philippe Godignon (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2010).
Novel materials and processes for gate dielectrics on Silicon carbide
Amador Eduardo Pérez Tomás
Tesis doctoral dirigida por Jordi Pascual Gainza (dir. tes.), Philippe Godignon (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2007).
Planar Edge Terminations and Related Manufacturing Process Technology for High Power 4H-SiC Diodes
Raúl Pérez Rodríguez
Tesis doctoral dirigida por Narcís Mestres Andreu (dir. tes.), Philippe Godignon (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2006).
Optimisation de lImplantation Ionique et du Recuit Thermique pour SiC
Servane Blanqué
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Jean Camassel (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2005).
Theoretical studies of defects in silicon carbide
Tesis doctoral dirigida por Philippe Godignon (dir. tes.), Eduardo Hernández (dir. tes.). Universitat Autònoma de Barcelona (2004).
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