Periodo de publicación recogido
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The total ionizing dose response of a DSOI 4Kb SRAM
B. Li, J. Wu, J. Gao, Y. Kuang, J. Li, X. Zhao, K. Zhao, Z. Han, J. Luo
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Nº. 76-77, 2017, págs. 714-718
J. Chen, X. Zhao, J. Li, Y.L. Xu
Engineering structures: The journal of earthquake, wind and ocean engineering, ISSN 0141-0296, Nº. 8, 2005, págs. 1234-1247
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