Periodo de publicación recogido
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A novel approach to characterization of progressive breakdown in high-k/metal gate stacks.
R. Pagano, S. Lombardo, F. Palumbo, P. Kirsch, S.A. Krishnan, C. Young, R. Choi, G. Bersuker, J.H. Stathis
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 48, Nº. 11-12, 2008, págs. 1759-1764
Applications of DCIV method to NBTI characterization.
A. Neugroschel, G. Bersuker, R. Choi
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1366-1372
Electrical characterization and analysis techniques for the high-k era.
C.D. Young, D. Heh, A. Neugroschel, R. Choi, B.H. Lee, G. Bersuker
Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 4-5, 2007, págs. 479-488
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