M. Lanza

• Artículos de revistas (2)
• Colaboraciones en obras colectivas (2)

• Artículos de revistas

  • Trapped charge and stress induced leakage current (SILC) in tunnel SiO2 layers of de-processed MOS non-volatile memory devices observed at the nanoscale.

    M. Lanza, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, Xavier Aymerich Humet, G. Ghidini, A. Sebastiani

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 49, Nº. 9-11, 2009, págs. 1188-1191

    

  • Influence of the manufacturing process on the electrical properties of thin (<4 nm) Hafnium based high-k stacks observed with CAFM.

    M. Lanza, M. Porti, Montserrat Nafria i Maqueda, G. Benstetter, W. Frammelsberger, H. Razinger, E. Lodermeier, G. Jaschke

    Microelectronics reliability, ISSN 0026-2714, Vol. 47, Nº. 9-11, 2007, págs. 1424-1428

    

• Colaboraciones en obras colectivas

  • Nanoscale morphology of graphene on different substrates

    M. Lanza, Y. Y. Wang, H. Duan, Marc Porti i Pujal, Montserrat Nafria i Maqueda, A. Bayerl, Xavier Aymerich Humet, T. Gao, Z. Liu, Y. Zhang, H. Liang, G. Jing

    Proceedings of the 2013 Spanish Conference on Electron Devices / Héctor García (aut.), Helena Castán Lanaspa (aut.), 2013, ISBN 9781467346665

    • Resumen
    

  • The behaviour of some physiological parameters of sheep which have undergone shearing in varying climatic conditions

    G. Piccione, G. Attanzio, Luis Biondi Neto, M. Lanza, P. Pennisi

    IX Congreso Internacional de la Federación Mediterránea de Sanidad y Producción de Rumiantes, 2002, ISBN 84-7719-798-9, págs. 308-311

    

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