Periodo de publicación recogido
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Characterization of Germanium Nanocrystallites Grown on SiO~2 by a Conductive AFM Probe Technique
S. Higashi, S. Miyazaki, K. Makihara, Y. Okamoto, H. Murakami
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 88, Nº 4, 2005, pág. 705
Advanced RF Characterization and Delay-Time Analysis of Short Channel AlGaN/GaN Heterojunction FETs
Y. Okamoto, T. Nakayama, H. Miyamoto, M. Kuzuhara, T. Inoue, Y. Ando, K. Kasahara
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 86, Nº 10, 2003, pág. 2065
Error Rate Performance of Turbo Coding for E^2PR4 Channel
H. Saito, Y. Okamoto, H. Osawa
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 84, Nº 11, 2001, págs. 1689-1696
H. Osawa, H. Saito, M. Takai, Y. Okamoto
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 12, 1999, págs. 2218-2226
K. Matsunaga, Y. Okamoto, M. Kanamori
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 82, Nº 5, 1999, págs. 744-749
Y. Okamoto
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 9, 1997, págs. 1154-1160
Power Heterojunction FET with High Breakdown Voltage for X- and Ku-Band Applications
Y. Okamoto
IEICE transactions on electronics, ISSN 0916-8524, Vol. 80, Nº 6, 1997, págs. 746-750
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